1.麻省理工学院| Massachusetts Institute of Technology

　　【项目介绍】

　　麻省理工的电子工程专业所在的 EECS 系是工程学院最大的一个 系，拥有大约 700 名博士生和硕士生。申请项目只针对 PhD， 没有 Master，但所有博士生在获得博士学位的同时获 得硕士学位。不提供春季项目。Master 只针对麻省理工 EECS 本科生。

　　学制：3-7 年

　　【申请】

　　硬性条件: TOEFL 100+ (internet-based) 或者 IELTS 7+，GPA 无明确要求但是建议 3.8 以上 , GRE 无硬性要求。

　　软实力: 学生不仅是要相近的本科背景，并且要拥有很强的数学，物理，计算机科学或者工程背景。

　　2. 斯坦福大学 Stanford University

　　【项目介绍】

　　随着硅谷的崛起，位于硅谷的斯坦福大学 EE 专业的影响力也与日俱增，或者从另 外一个角度来说，正是斯坦福大学给硅谷的崛起创造了技术与人员的基础。同时，硅谷活跃的创 业氛围也影响使斯坦福可以说是全美创业气氛最浓的学校。EE 系在学术届一直被认为是最注重实践和与商业界联系最紧密的专业之一。斯坦福每年 EE 每届的 PhD+Master 一共 200 人左右， 其 中大约有 150 人是 Master。 在申请过程中，斯坦福比较偏好成绩好，排名靠前的学生。个人觉得 如果你想学习扎实的 EE 知识，认识一批有着以技术改变世界的人的话，并且生活在美国气候最 好的地方，斯坦福一定是最适合你的地方。

　　项目学制：MS 1.5-2 年;PhD 5 年

　　【申请】

　　申请难度：9

　　申请条件：IBT 100(斯坦福对学生的口语和听力要求很高)， GRE 90% percentile or higher on the quantitative section, GPA 无明确要求但是建议 3.8 以上，TOEFL 成绩， Ms 89+, Ph.D. 100+

　　3. 加州大学伯克利分校 UC Berkeley

　　【项目介绍】

　　与 Stanford 一样，Berkeley 也对硅谷的发展起了重要作用，在学术界，她的研究被 普遍认为极其注重理论，EE 也是实力超群，各个方向都很强。不过 Berkeley 受加州教育经费缩减的影响，经费紧缺，申请难度不亚于美国任何一所大学。申请以 PhD 为主。学校依ft而建，建 筑风格朴素务实。 伯克利的 EECS 研究生项目 是全美数一数二的，学校资源丰富。

　　【申请】

　　申请难度：9平均入学率 12%

　　申请条件：GRE 350+ ( >90% in quantitative, >70% in verbal, >3.5 in analytical);

　　TOEFL 100+, iBT 90+ 或者 IELTS 7+; GPA 3.7+

　　4.加州理工学院|California Institute of Technology

　　【项目介绍】

　　Caltech 的 EE 小而精，因而申请起来难度相当大，可以说，对于本科生而言，如果 不是 top2， 基本就不大可能了。认识一些从 Caltech 毕业的朋友，确实水平相当了得。学校位于 LA 富人区的美丽小镇帕萨迪纳，有幸去过一次，个人十分喜欢。如果你想加入 Sheldon 的行列， 欢迎申请。

　　项目：Master 1 年， Ph.D. 5 年

　　【申请】

　　申请难度：10

　　申请条件：IBT 无明确要求，建议 100+， GRE 无明确要求建议 325+, GPA 3.5/4, top 5%-10%. CIT 项目小而学术，因每年招人极少申请难度极高，建议申请者有丰富的科研经验以及比较深刻 的学术思考。

　　5.伊利诺伊大学香槟分校| University of Illinois--Urbana-Champaign

　　【项目介绍】

　　元老级学校，出过无数牛人，半导体物理，电机，电磁，系统(通讯/控制/DSP/imageprocessing 等)都很强， 还有不少其它学校没有的方向，对 ee 的贡献很大。transistor 的 发明者之一 Bardeen 曾在这里获得了他的第二个 Nobel prize，由他留下的 semi conductor program 目前仍是全美最好的 program 之一。个人觉得 UIUC 的录取标有些与众不同。你也许横扫美国 Top 10 的名校，但是 UIUC 也许还是会给你发一封拒信。我有幸在去年春天的时候去过 UIUC 一 次，学校位于伊利诺伊广袤的平原之中，颇有一丝仙风道骨的感觉。

　　项目：M. Eng 一学年， M. S.2 年(本校学生有 MS 5 年项目)， Ph.D. 5 年

　　【申请】

　　申请难度：8

　　申请条件：IBT 68+ 建议 100+，雅思 70， GRE 无明确要求，建议 325+, GPA 无明确要求但是 建议 3.8 以上。

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